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COC共晶机
1.PH-550 是 COB,COC 制程中将基底与芯片，在 CDD 定位后经过控制温度曲线熔化焊料从而键合在一起 的共晶设备。
2.设备主要由共晶台，贴片机械手，晶圆台（含晶 片盒），下校准台，上下料机械手等组成。
3.共晶台包含 X、Y、T 三轴系统组成，上面设置共 晶加热模块，氮气保护系统。
4.贴片机械手包含 X、Y、Z、T 四轴机构，对芯片 的位置，角度校准。
5.芯片校准台包含 X、Y、T 三轴机构，对芯片上表 面进行识别，保证贴片精度。
6.共晶模块采用脉冲加热方式，温度可分段设定， 温度升降及焊接时间可精准控制。
一、 基本功能
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项目 |
内容 |
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共晶产品 |
COC |
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基底上料方式 |
2寸料盒 |
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晶片上料方式 |
热沉 |
6寸晶圆,兼容一个2寸Waffle PAK |
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芯片 |
6寸晶圆，兼容一个2寸Gel PAK |
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共晶台 |
1 |
脉冲共晶台 |
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共晶方式 |
逐个共晶 |
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共晶效率 |
单颗20秒左右（基底+热沉+LD芯片） |
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二、 控制部分
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项目 |
内容 |
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操作界面 |
图形用户界面，无线键鼠操作+独立启停按钮 |
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全机初始化 |
界面按钮 |
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气缸控制 |
界面按钮 |
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传感器状态检查 |
界面按钮 |
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运动轴位置检查 |
界面控制 |
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速度调整 |
界面控制 |
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生产信息 |
界面显示 |
三、 图像识别
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项目 |
内容 |
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CCD数量 |
6套 |
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CCD用途 |
热沉晶圆定位 |
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热沉底部定位 |
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芯片晶圆定位 |
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芯片正面校准定位 |
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共晶台定位 |
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CCD对焦方式 |
机械手动调节 |
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CCD分辨率 |
1280×960 |
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CCD镜头 |
变倍镜头：0.6 - 7倍 |
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CCD相机 |
130万像素 |
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光源 |
同轴光源 |
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外置LED环形光 |
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光源亮度调整 |
可独立调整识别/观察亮度 |
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识别方式 |
边沿识别，特征教导，相似度设定 |
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角度识别范围 |
0~360° |
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角度辨识错误率 |
≤1‰ |
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模板特征编辑 |
可擦除遮蔽干扰特征 |
四、 机械手部分
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项目 |
内容 |
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吸嘴切换 |
手动更换 |
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吸头材质 |
金属吸嘴，电木吸嘴 |
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机械手指定 |
LD拾取机械手 |
从晶圆拾取LD芯片，放置校准台 |
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LD共晶机械手 |
从校准台拾取LD芯片，贴放共晶 |
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热沉拾取贴片机械手 |
从热沉晶圆拾取热沉，贴放共晶 |
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管座拾放机械手 |
从管座料盘取放管座 |
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定位重复精度 |
X轴 |
±1 um |
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Y轴 |
± 1 um |
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Z轴 |
± 2 um |
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θ轴 |
± 0.01° |
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电机类型 |
X轴 |
直线电机 |
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Y轴 |
直线电机 |
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Z轴 |
步进电机 |
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θ轴 |
步进电机 |
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取置压力控制方式 |
吸头自重+弹簧 |
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取置压力范围 |
拉力弹簧，压力范围10~200g（更换拉簧规格） |
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五、 脉冲共晶台部分
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项目 |
内容 |
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共晶方式 |
脉冲加热 |
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共晶面积范围 |
20x20 mm |
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共晶工作台 |
X轴 |
± 2 um |
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Y轴 |
± 2 um |
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Z轴 |
----------- |
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θ轴 |
范围±10°精度± 0.01° |
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电机类型 |
X轴 |
伺服电机 |
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Y轴 |
伺服电机 |
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Z轴 |
----------- |
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θ轴 |
步进电机 |
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共晶台加热 |
电流脉冲 分段加热 |
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共晶台冷却 |
风冷 |
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加热速度 |
150°/sec |
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环境保护 |
氮气环境 |
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六、 基底上下料部分
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项目 |
内容 |
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机械手 |
X轴 |
± 2 um |
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Y轴 |
± 2 um |
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Z轴 |
± 2 um |
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θ轴 |
----------- |
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电机类型 |
X轴 |
伺服电机 |
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Y轴 |
伺服电机 |
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Z轴 |
步进电机 |
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θ轴 |
----------- |
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吸嘴 |
手动更换 |
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上下料方式 |
逐个取放 |
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料盒 |
两个，2寸 |
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七、 电气需求
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项目 |
内容 |
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电力 |
电源类型 |
交流 |
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电压 |
220V |
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相数 |
单相 |
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功率（峰时） |
6000W |
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压缩空气 |
0.5 ~ 0.7MPa |
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真空 |
气压范围 |
60 ~90kPa |
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重量 |
1500kg |
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其它 |
氮气 |
吸嘴及共晶台 |
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压缩空气过滤器 |
部件 |
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真空过滤器 |
部件 |
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环境温度要求 |
26℃ |
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环境振动要求 |
VC-D |
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设备噪音 |
<50分贝 |
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真空泵噪音 |
<60分贝 |
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八、 附件一（随机资料）
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项目 |
内容 |
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说明书——中文操作说明书 |
纸质版、电子版各一份/台 |
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图纸——电路图 |
电子版1份 |
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图纸——气路图 |
电子版1份 |
九、 附件二 （参数）
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设备尺寸 |
X1640×Y1420×Z1840(mm) |
重量 |
1500KG |
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功率（峰时） |
6KW |
气压 |
0.5～0.7MP |
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电压 |
220W |
生产效率 |
单颗20秒左右（基底+热沉+LD芯片） |
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位置精度 |
±2µm |
角度精度 |
±0.01° |
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固晶压力 |
10～200g |
晶圆尺寸 |
6"×2(tray 2"X2") |
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共晶台面尺寸 |
20x20 mm |
芯片尺寸 |
0.2～2mm(其它尺寸需选配）
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