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设备尺寸: X950*Y1080*Z1400

重量: 300KG

功率: 8KW

气压: 0.3~0.6MP

电压: 220V

共晶时间: 10 sec/pc

CCD镜头放大倍数: 0.5-7X

共晶压力: 10~ 50gf

料盒尺寸: (tray  2"X2")

加热面积: 10x10mm

最高温度: 450 C

设备特点：

1, PH-100是COC等制程中将耐高温基底与芯片，经过控制温度曲线熔化焊料从而键合在一-起的共晶设备。

2,设备主要由共晶台，贴片吸嘴组件，对位CCD，脉冲加热系统等组成。

3,共晶台包含X、Y、T三轴系统组成，上面设置共晶加热模块，冷氮气环境保护系统，共晶台冷却系统。

4,贴片吸嘴组件设在Z轴上，Z轴用于控制贴片高度，贴片吸嘴组件设有弹簧压力控制机构。

5,共晶模块采用脉冲加热方式，温度可分段设定，温度升降及焊接时间可精准控制。

设备结构：