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产品详情

设备参数：

设备尺寸（mm）：X 1440 Y 1225 Z 1550

重量：1000KG

功率：8KW

气压：0.4～0.6MP

电压：220W

生产效率：12s-19s

定位精度：±5

角度精度：±0.5

共晶压力：10-15g

晶圆尺寸：6"(tray 2"X2")

基层尺寸：0.5-20mm

芯片尺寸：0.2～1mm

设备原理功能：

PH-550是COB、COC工艺封装设备，通过脉冲加热熔化Submout表面金锡焊料，与LD共晶键合。

设备主要由共晶台，共晶机械手,晶圆台(含晶片盒)，芯片校准台，上下料机械手等组成。

共晶台包含X、Y、T三轴系统组成，上面设置共晶加热模块，氮气保护系统。

共晶机械手包含X、Y、Z. T四轴机构，校准Submout. LD的位置、角度。

芯片校准台包含X、Y、T三轴机构，对芯片上表面进行识别，保证贴片精度。

共晶模块采用脉冲加热方式，温度可分段设定，温度升降及焊接时间可精准控制。